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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4448HLP-7

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 80 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0,5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
X1-DFN1006-2
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Diodi incorporati
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
0402 (1006 metrici)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
125 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N4448
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 80 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0,5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
X1-DFN1006-2
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Diodi incorporati
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
0402 (1006 metrici)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
125 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N4448
1N4448HLP-7
Diodo 80 V 125 mA Montatura superficiale X1-DFN1006-2