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Descrizione: DIODO SILICIO CARBIDE 650V 10A LPTL
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 50 μA @ 650 V | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.5 V @ 10 A | Pacchetto: | Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel® | Serie: | - | Capacità @ Vr, F: | 500 pF @ 1V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | LPTL | Tempo di recupero inverso (trr): | 0 ns | Mfr: | Semiconduttore Rohm | Tecnologia: | Sic (carburo di silicio) Schottky | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 175°C (massimo) | Confezione / Cassa: | TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 650 V | Corrente - media rettificata (Io): | 10A | Velocità: | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | Numero del prodotto di base: | SCS310 | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 50 μA @ 650 V | 
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.5 V @ 10 A | 
| Pacchetto: | Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel® | 
| Serie: | - | 
| Capacità @ Vr, F: | 500 pF @ 1V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | LPTL | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 0 ns | 
| Mfr: | Semiconduttore Rohm | 
| Tecnologia: | Sic (carburo di silicio) Schottky | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 175°C (massimo) | 
| Confezione / Cassa: | TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 650 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 10A | 
| Velocità: | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 
| Numero del prodotto di base: | SCS310 |