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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1SS133M R0G

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Descrizione: DIODO GEN PURP 90V 150MA DO34

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 80 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-34
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AG, DO-34, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
90 V
Corrente - media rettificata (Io):
150 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS133
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 80 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-34
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AG, DO-34, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
90 V
Corrente - media rettificata (Io):
150 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS133
1SS133M R0G
Diodo 90 V 150mA Through Hole DO-34