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IDH20G120C5XKSA1

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Descrizione: DIODO SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
123 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
1050 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
56A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDH20G120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
123 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
1050 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
56A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDH20G120
IDH20G120C5XKSA1
Diodo 1200 V 56A attraverso foro PG-TO220-2-1