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Descrizione: DIODO SIL CARB 650V 4A TO220-2L

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 4 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-2L
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Toshiba Semiconductor e Storage
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
TRS4E65
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 4 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-2L
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
TRS4E65
TRS4E65F, S1Q
Diodo 650 V 4A attraverso foro TO-220-2L

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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