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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > IDM10G120C5XTMA1
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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
62 μA @ 12 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
29pF @ 800V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO252-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
38A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDM10G120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
62 μA @ 12 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
29pF @ 800V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO252-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
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Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
38A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDM10G120
IDM10G120C5XTMA1
Diodo 1200 V 38A Montatura superficiale PG-TO252-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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