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IDW32G65C5BXKSA2

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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 16 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
470pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
16A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDW32G65
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 16 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
470pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO247-3
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
16A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDW32G65
IDW32G65C5BXKSA2
Diodo 650 V 16A attraverso foro PG-TO247-3