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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FFSD1065A

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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
575 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-Pak (TO-252)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
18A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSD1065
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
575 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-Pak (TO-252)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
18A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSD1065
FFSD1065A
Diodo 650 V 18A montato in superficie D-PAK (TO-252)