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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.75 V @ 30 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220F
Tempo di recupero inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Semiconduttori di WeEn
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2 Confezione completa, compressa isolata
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
30A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
BYC30
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.75 V @ 30 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220F
Tempo di recupero inverso (trr):
45 ns
Mfr:
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Tecnologia:
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Confezione / Cassa:
TO-220-2 Confezione completa, compressa isolata
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
30A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
BYC30
Byc30x-600psq
Diodo 600 V 30A attraverso foro TO-220F

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

St ICS del microcontroller pungente 32

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