Dettagli del prodotto
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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 6A P600
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 5 μA @ 100 V | Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 900 mV @ 6 A | Pacchetto: | Tagli il nastro (CT)
Nastro & scatola (TB) | Serie: | - | Capacità @ Vr, F: | 150 pF @ 4V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | P600 | Tempo di recupero inverso (trr): | 2.5 μs | Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisione diodi | Tecnologia: | Norme | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -50°C ~ 150°C | Confezione / Cassa: | P600, assiale | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 100 V | Corrente - media rettificata (Io): | 6A | Velocità: | Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io) | Numero del prodotto di base: | P600 | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 5 μA @ 100 V | 
| Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 900 mV @ 6 A | 
| Pacchetto: | Tagli il nastro (CT)
Nastro & scatola (TB) | 
| Serie: | - | 
| Capacità @ Vr, F: | 150 pF @ 4V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | P600 | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 2.5 μs | 
| Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisione diodi | 
| Tecnologia: | Norme | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -50°C ~ 150°C | 
| Confezione / Cassa: | P600, assiale | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 100 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 6A | 
| Velocità: | Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Numero del prodotto di base: | P600 |