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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NRVRGF1J

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8.5pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMA
Tempo di recupero inverso (trr):
250 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8.5pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMA
Tempo di recupero inverso (trr):
250 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
NRVRGF1J
Diodo di 600 V 1A di montaggio di superficie SMA