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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SE30ND-M3/I

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A DFN3820A

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Supporto di superficie, fianco bagnabile
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
19pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN3820A
Tempo di recupero inverso (trr):
1,5 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
2-VDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Supporto di superficie, fianco bagnabile
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
19pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN3820A
Tempo di recupero inverso (trr):
1,5 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
2-VDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
SE30ND-M3/I
Diodo 200 V 3A montato in superficie, fianco bagnabile DFN3820A