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Descrizione: DIODO GEN PURP 200V 3A DO221BC
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 5 μA @ 200 V | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.16 V @ 3 A | Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | Serie: | Automobilistico, AEC-Q101, eSMP® | Capacità @ Vr, F: | 13pF @ 4V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | DO-221BC (SMPA) | Tempo di recupero inverso (trr): | 1,3 µs | Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisione diodi | Tecnologia: | Norme | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C | Confezione / Cassa: | DO-221BC, SMA Pad a piatto a piombo esposto | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 200 V | Corrente - media rettificata (Io): | 3A | Velocità: | Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io) | Numero del prodotto di base: | SE30 | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 5 μA @ 200 V | 
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.16 V @ 3 A | 
| Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | 
| Serie: | Automobilistico, AEC-Q101, eSMP® | 
| Capacità @ Vr, F: | 13pF @ 4V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | DO-221BC (SMPA) | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 1,3 µs | 
| Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisione diodi | 
| Tecnologia: | Norme | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C | 
| Confezione / Cassa: | DO-221BC, SMA Pad a piatto a piombo esposto | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 200 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 3A | 
| Velocità: | Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Numero del prodotto di base: | SE30 |