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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > 1N4150-1
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1N4150-1
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 200 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N4150
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 200 mA
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
50 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N4150
1N4150-1
Diodo 50 V 200 mA attraverso foro DO-35

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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