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Descrizione: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO219AB
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 1 μA @ 1000 V | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.85 V @ 1 A | Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | Serie: | Automotive, AEC-Q101 | Capacità @ Vr, F: | 8.2pF @ 4V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | DO-219AB (SMF) | Tempo di recupero inverso (trr): | 75 ns | Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisione diodi | Tecnologia: | Valanga | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C | Confezione / Cassa: | DO-219AB | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 1000 V | Corrente - media rettificata (Io): | 1A | Velocità: | Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 1 μA @ 1000 V | 
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.85 V @ 1 A | 
| Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | 
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 | 
| Capacità @ Vr, F: | 8.2pF @ 4V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | DO-219AB (SMF) | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 75 ns | 
| Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisione diodi | 
| Tecnologia: | Valanga | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C | 
| Confezione / Cassa: | DO-219AB | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 1000 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 1A | 
| Velocità: | Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io) |