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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > Fs1me_hf
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Descrizione: DIODO GEN PURP 1KV 1A F1A

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
FS
Capacità @ Vr, F:
7.6pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
F1A (DO219AA)
Tempo di recupero inverso (trr):
10,6 μs
Mfr:
Diodi incorporati
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-219AA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
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Serie:
FS
Capacità @ Vr, F:
7.6pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
DO-219AA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Fs1me_hf
Diodo 1000 V 1A montatura superficiale F1A (DO219AA)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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