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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > BAS116L2B-TP
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Descrizione: DIODE GP 85V 215MA DFN1006-2L

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN1006-2L
Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
0402 (1006 metrici)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
85 V
Corrente - media rettificata (Io):
215 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
BAS116
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN1006-2L
Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
0402 (1006 metrici)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
85 V
Corrente - media rettificata (Io):
215 mA
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
BAS116
BAS116L2B-TP
Diodo 85 V 215mA Monte di superficie DFN1006-2L

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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