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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4006GP-TP

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-41
Tempo di recupero inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N4006
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-41
Tempo di recupero inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N4006
1N4006GP-TP
Diodo 800 V 1A attraverso foro DO-41