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IDK08G65C5XTMA2

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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
250 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK08G65
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
250 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK08G65
IDK08G65C5XTMA2
Diodo 650 V 8A montato in superficie PG-TO263-2