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VS-8EWS12STRL-M3

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,1 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-PAK (TO-252AA)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
8EWS12
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,1 V @ 8 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-PAK (TO-252AA)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
8EWS12
VS-8EWS12STRL-M3
Diodo 1200 V 8A montato in superficie D-PAK (TO-252AA)