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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 nA @ 175 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
Pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Categoria:
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stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 nA @ 175 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
1N485B
Diodo 200 V 200mA attraverso il foro DO-35

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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