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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1SS55-T4-AZ

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 100MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
700 mV @ 1 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Tempo di recupero inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
200°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
75 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Tecnologia:
Norme
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
700 mV @ 1 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Tempo di recupero inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
200°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
75 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Tecnologia:
Norme
1SS55-T4-AZ
Diodo 75 V 100mA attraverso foro DO-35