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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Serie E, Settore automobilistico
Capacità @ Vr, F:
1474pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
56A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
E4D20120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Serie E, Settore automobilistico
Capacità @ Vr, F:
1474pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
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Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
56A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
E4D20120
E4D20120G
Diodo 1200 V 56A Montatura di superficie TO-263-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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