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IDK16G120C5XTMA1

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
80 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.95 V @ 16 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
730pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
40A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK16G120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
80 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.95 V @ 16 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
730pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
40A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDK16G120
IDK16G120C5XTMA1
Diodo 1200 V 40A montato in superficie PG-TO263-2-1