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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Non per nuovi disegni | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 160 µA @ 650 V | Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.7 V @ 9 A | Pacchetto: | Tubo | Serie: | CoolSiC™+ | Capacità @ Vr, F: | 270 pF @ 1V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | PG-TO220-2-1 | Tempo di recupero inverso (trr): | 0 ns | Mfr: | Tecnologie Infineon | Tecnologia: | Sic (carburo di silicio) Schottky | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C | Confezione / Cassa: | TO-220-2 | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 650 V | Corrente - media rettificata (Io): | 9A | Velocità: | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | Numero del prodotto di base: | IDH09G65 | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Non per nuovi disegni | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 160 µA @ 650 V | 
| Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.7 V @ 9 A | 
| Pacchetto: | Tubo | 
| Serie: | CoolSiC™+ | 
| Capacità @ Vr, F: | 270 pF @ 1V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | PG-TO220-2-1 | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 0 ns | 
| Mfr: | Tecnologie Infineon | 
| Tecnologia: | Sic (carburo di silicio) Schottky | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C | 
| Confezione / Cassa: | TO-220-2 | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 650 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 9A | 
| Velocità: | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 
| Numero del prodotto di base: | IDH09G65 |