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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MURS110T3G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMB
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MURS110
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMB
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AA, SMB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MURS110
MURS110T3G
Diodo 100 V 1A montato in superficie SMB