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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N6779

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 15A TO257

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 480 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 15 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
300 pF @ 5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-257
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-257-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
15A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 480 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 15 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
300 pF @ 5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-257
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-257-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
15A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
JANTX1N6779
Diodo 600 V 15A attraverso foro TO-257