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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FFSD10120A

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Descrizione: DIODO SILICIO CARBIDE 1.2KV TO252AA

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
612 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252AA
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSD10120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
612 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252AA
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSD10120
FFSD10120A
Diodo 1200 V di montaggio di superficie TO-252AA