Dettagli del prodotto
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione: DIODO SILICIO CARBIDE 1.2KV TO252AA
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli |
stato del prodotto: |
Attivo |
Corrente - perdite inverse @ Vr: |
µA 200 @ 1200 V |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: |
1.75 V @ 10 A |
Pacchetto: |
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel® |
Serie: |
- |
Capacità @ Vr, F: |
612 pF @ 1V, 100 kHz |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
TO-252AA |
Tempo di recupero inverso (trr): |
0 ns |
Mfr: |
ONSEMI |
Tecnologia: |
Sic (carburo di silicio) Schottky |
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): |
1200 V |
Confezione / Cassa: |
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 |
Velocità: |
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) |
Numero del prodotto di base: |
FFSD10120 |
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli |
stato del prodotto: |
Attivo |
Corrente - perdite inverse @ Vr: |
µA 200 @ 1200 V |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: |
1.75 V @ 10 A |
Pacchetto: |
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel® |
Serie: |
- |
Capacità @ Vr, F: |
612 pF @ 1V, 100 kHz |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
TO-252AA |
Tempo di recupero inverso (trr): |
0 ns |
Mfr: |
ONSEMI |
Tecnologia: |
Sic (carburo di silicio) Schottky |
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): |
1200 V |
Confezione / Cassa: |
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 |
Velocità: |
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) |
Numero del prodotto di base: |
FFSD10120 |