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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
611pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
4-QFN (8x8)
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
4-PowerVQFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
39A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
611pF @ 0V, 1MHz
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
39A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
C6D10065Q-TR
Diodo 650 V 39A Montaggio superficiale 4-QFN (8x8)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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