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Descrizione: Diodo di carburo di silicio 650V 4A DPAK

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 4 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
125pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttori di WeEn
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC2
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 4 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
125pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC2
WNSC2D04650DJ
Diodo 650 V 4A DPAK

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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