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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > BAS116LSYL
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Descrizione: DIODE GP 85V 325MA DFN1006BD-2

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN1006BD-2
Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C
Confezione / Cassa:
SOD-882
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
85 V
Corrente - media rettificata (Io):
325 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
3 μs
Mfr:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C
Confezione / Cassa:
SOD-882
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
85 V
Corrente - media rettificata (Io):
325 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
BAS116LSYL
Diodo 85 V 325mA Montaggio superficiale DFN1006BD-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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