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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > VS-E5PX6012LHN3
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VS-E5PX6012LHN3
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A a 247AD

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3.3 V @ 60 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247AD
Tempo di recupero inverso (trr):
120 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
60A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
3.3 V @ 60 A
Pacchetto:
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Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
60A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
VS-E5PX6012LHN3
Diodo 1200 V 60A attraverso foro TO-247AD

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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