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WNSC6D16650B6J

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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
80 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.45 V @ 16 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
780 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D2PAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttori di WeEn
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
16A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC6
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
80 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.45 V @ 16 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
780 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D2PAK
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttori di WeEn
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
16A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC6
WNSC6D16650B6J
Diodo 650 V 16A D2PAK