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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SCS215AEGC11

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Descrizione: DIODO SILICIO CARBIDE 650V 15A TO247

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
300 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,55 V @ 15 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
550 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
15A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SCS215
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
300 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,55 V @ 15 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
550 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
15A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SCS215
SCS215AEGC11
Diodo 650 V 15A attraverso foro TO-247