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Descrizione: DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
190 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 12 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
360 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-VSON-4
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
4-PowerTSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDL12G65
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
190 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 12 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
360 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-VSON-4
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
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Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
4-PowerTSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDL12G65
IDL12G65C5XUMA2
Diodo 650 V 12A montato in superficie PG-VSON-4

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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