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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5062TR

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Descrizione: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,15 V @ 2,5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOD-57
Tempo di recupero inverso (trr):
4 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SOD-57, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5062
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,15 V @ 2,5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOD-57
Tempo di recupero inverso (trr):
4 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SOD-57, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
2A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5062
1N5062TR
Diodo 800 V 2A attraverso foro SOD-57