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Descrizione: JFET N-Channel -30V Basso rumore

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
IF170
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
22 mA @ 10 V
Mfr:
InterFET
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
1.5 V @ 1 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Confezione / Cassa:
SOT-23-3
Potenza - Max:
350 Mw
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
15pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
38 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
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Pacchetto:
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Serie:
IF170
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
22 mA @ 10 V
Mfr:
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Potenza - Max:
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Resistenza - RDS (sopra):
38 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
IF170DST3TR
JFET N-Channel 350 mW Superficie montata SOT-23-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

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