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Descrizione: JFET N-Channel -50V Ciss basso

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
IFN160
Confezione / Cassa:
SOT-23-3
Mfr:
InterFET
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
1 V @ 10 μA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max:
350 Mw
Resistenza - RDS (sopra):
330 ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
50 V
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Canale N
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Attivo
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Pacchetto:
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Serie:
IFN160
Confezione / Cassa:
SOT-23-3
Mfr:
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1 V @ 10 μA
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Temperatura di funzionamento:
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Potenza - Max:
350 Mw
Resistenza - RDS (sopra):
330 ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
50 V
IFN160BST3TR
JFET N-Channel 350 mW Superficie montata SOT-23-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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