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Descrizione: JFET N-Channel -40V Ciss basso
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
JFET | Tipo di FET: | Canale N | stato del prodotto: | Attivo | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Pacchetto: | strisce | Serie: | SMPJ232 | Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): | 6 mA @ 20 V | Mfr: | InterFET | Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: | 4.5 V @ 1 μA | Confezione del dispositivo del fornitore: | SOT-23-3 | Confezione / Cassa: | SOT-23-3 | Potenza - Max: | 350 Mw | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3pF @ 20V | Resistenza - RDS (sopra): | 430 Ohm | Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 40 V | Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
JFET | 
| Tipo di FET: | Canale N | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | 
| Pacchetto: | strisce | 
| Serie: | SMPJ232 | 
| Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): | 6 mA @ 20 V | 
| Mfr: | InterFET | 
| Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: | 4.5 V @ 1 μA | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | SOT-23-3 | 
| Confezione / Cassa: | SOT-23-3 | 
| Potenza - Max: | 350 Mw | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3pF @ 20V | 
| Resistenza - RDS (sopra): | 430 Ohm | 
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 40 V | 
| Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |