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Descrizione: JFET N-Channel -25V Basso rumore
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
JFET | Tipo di FET: | Canale N | stato del prodotto: | Attivo | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | Serie: | SMPJ110 | Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): | 100 mA @ 15 V | Mfr: | InterFET | Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: | 2 V @ 0,5 nA | Confezione del dispositivo del fornitore: | SOT-23-3 | Confezione / Cassa: | SOT-23-3 | Potenza - Max: | 350 Mw | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 28pF @ 0V | Resistenza - RDS (sopra): | 15 Ohm | Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 25 V | Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
JFET | 
| Tipo di FET: | Canale N | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | 
| Pacchetto: | Nastro e bobina (TR) | 
| Serie: | SMPJ110 | 
| Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0): | 100 mA @ 15 V | 
| Mfr: | InterFET | 
| Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @: | 2 V @ 0,5 nA | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | SOT-23-3 | 
| Confezione / Cassa: | SOT-23-3 | 
| Potenza - Max: | 350 Mw | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 28pF @ 0V | 
| Resistenza - RDS (sopra): | 15 Ohm | 
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 25 V | 
| Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |