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Casa > prodotti > Transistor del triodo del diodo > MMFBJ177_G
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: JFET P-CH 30V SOT23-3

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
800 mV @ 10 nA
Potenza - Max:
225 mW
Mfr:
ONSEMI
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero del prodotto di base:
MMBFJ1
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
800 mV @ 10 nA
Potenza - Max:
225 mW
Mfr:
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Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero del prodotto di base:
MMBFJ1
MMFBJ177_G
JFET P-Channel 30 V 225 mW Montatura superficiale SOT-23-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

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