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2N4117A-E3
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: JFET N-CH 40V TO206AF

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
40 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 μA @ 10 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-206AF (TO-72)
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
600 mV @ 1 nA
Potenza - Max:
300 mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 10V
Confezione / Cassa:
TO-206AF, TO-72-4 Canne metalliche
Numero del prodotto di base:
2N4117
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
40 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 μA @ 10 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-206AF (TO-72)
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
600 mV @ 1 nA
Potenza - Max:
300 mW
Mfr:
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Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 10V
Confezione / Cassa:
TO-206AF, TO-72-4 Canne metalliche
Numero del prodotto di base:
2N4117
2N4117A-E3
JFET N-Channel 40 V 300 mW attraverso foro TO-206AF (TO-72)

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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