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Casa > prodotti > Transistor del triodo del diodo > IJW120R100T1FKSA1
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Descrizione: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
Tubo
Serie:
CoolSiC™
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 μA @ 1200 V
Mfr:
Tecnologie Infineon
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO247-3
Scolo corrente (identificazione) - massima:
26 A
Potenza - Max:
190 W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1550pF @ 19,5V (VGS)
Resistenza - RDS (sopra):
100 mOhms
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
1200 V
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
1200 V
Tipo di montaggio:
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Pacchetto:
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Serie:
CoolSiC™
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 μA @ 1200 V
Mfr:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO247-3
Scolo corrente (identificazione) - massima:
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1550pF @ 19,5V (VGS)
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
1200 V
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
IJW120R100T1FKSA1
JFET N-Channel 1200 V 26 A 190 W attraverso foro PG-TO247-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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