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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: JFET P-CH 30V TO92-3

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
ONSEMI
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
1 V @ 10 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-92-3
Confezione / Cassa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potenza - Max:
350 Mw
Resistenza - RDS (sopra):
250 Ohm
Numero del prodotto di base:
Glicemia
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacchetto:
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Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
1 V @ 10 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-92-3
Confezione / Cassa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Potenza - Max:
350 Mw
Resistenza - RDS (sopra):
250 Ohm
Numero del prodotto di base:
Glicemia
Glicemia
JFET P-Channel 30 V 350 mW attraverso foro TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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