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Casa > prodotti > Transistor del triodo del diodo > 2SK3666-4-TB-E
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Descrizione: JFET N-CH 30V 10MA SMCP

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.5 mA @ 10 V
Mfr:
ONSEMI
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
180 mV @ 1 μA
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMCP
Scolo corrente (identificazione) - massima:
10 mA
Potenza - Max:
200 mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
200 Ohm
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2SK3666
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
stato del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
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Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.5 mA @ 10 V
Mfr:
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Resistenza - RDS (sopra):
200 Ohm
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2SK3666
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
2SK3666-4-TB-E
JFET N-Channel 30 V 10 mA 200 mW Superficie di montaggio SMCP

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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