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Casa > prodotti > Transistor del triodo del diodo > MQ2N2608UB/TR
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MQ2N2608UB/TR
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Descrizione: JFET P-CH 30V UB

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/295
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
U.B.
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
750 mV @ 1 μA
Potenza - Max:
300 mW
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Confezione / Cassa:
3-SMD, senza piombo
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
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pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/295
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Potenza - Max:
300 mW
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Temperatura di funzionamento:
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Confezione / Cassa:
3-SMD, senza piombo
MQ2N2608UB/TR
JFET P-Channel 30 V 300 mW Montatura superficiale UB

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

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