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Descrizione: JFET N-CH 30V UB

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
pacchetto:
Altri prodotti
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
800 mV @ 500 pA
Confezione del dispositivo del fornitore:
U.B.
Confezione / Cassa:
3-SMD, senza piombo
Potenza - Max:
360 Mw
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
60 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2N4861
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
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Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
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Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
800 mV @ 500 pA
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
60 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Numero del prodotto di base:
2N4861
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
2N4861UB
JFET N-Channel 30 V 360 mW Montatura superficiale UB

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

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