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Descrizione: JFET P-CH 30V UB

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
15 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
3 V @ 1 nA
Confezione del dispositivo del fornitore:
U.B.
Confezione / Cassa:
3-SMD, senza piombo
Potenza - Max:
500 mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistenza - RDS (sopra):
100 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
P-Manica
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
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pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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500 mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistenza - RDS (sopra):
100 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MX2N5115UB/TR
JFET P-Channel 30 V 500 mW Montatura superficiale UB

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

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