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Descrizione: JFET N-CH 40V TO18

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
40 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tensione - identificazione di taglio (VGS fuori) @:
2 V @ 500 pA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18 (TO-206AA)
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Potenza - Max:
360 Mw
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
40 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
40 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Corrente - scolo (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
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2 V @ 500 pA
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Potenza - Max:
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
40 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N4857UB/TR
JFET N-Channel 40 V 360 mW attraverso foro TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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