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Descrizione: JFET N-CH 30V TO18

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
pacchetto:
Altri prodotti
Serie:
-
Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Mfr:
Solid-state Inc.
Potenza - Max:
300 mW
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-18
Temperatura di funzionamento:
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
25 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori JFET
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Canale N
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Attivo
Tensione - ripartizione (V (BR) GSS):
30 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
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Confezione / Cassa:
TO-206AA, metallo TO-18-3 può
Mfr:
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Potenza - Max:
300 mW
Confezione del dispositivo del fornitore:
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-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistenza - RDS (sopra):
25 Ohm
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
2N4859
JFET N-canale 30 V 300 mW attraverso foro TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo di IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo attraverso il montaggio del foro,

transistor del triodo del diodo di 200V 50A

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